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型号/品牌/封装

品类/描述

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价格(含税)

资料

型号: FQA30N40

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: FQA30N40 系列 400 V 140 mOhm 120 nC 通孔 N 沟道 Mosfet - TO-3PN

6449

5-49

￥28.0215

50-199

￥26.8240

200-499

￥26.1534

500-999

￥25.9858

1000-2499

￥25.8181

2500-4999

￥25.6265

5000-7499

￥25.5068

≥7500

￥25.3870

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型号: MGD623N

品牌: Sanken Electric (三垦电气)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 600V 50A 3Pin(3+Tab) TO-3P

7946

5-49

￥27.1440

50-199

￥25.9840

200-499

￥25.3344

500-999

￥25.1720

1000-2499

￥25.0096

2500-4999

￥24.8240

5000-7499

￥24.7080

≥7500

￥24.5920

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型号: 2SB1560

品牌: Sanken Electric (三垦电气)

封装: TO-3-3

品类: 双极性晶体管

描述: ALLEGRO SANKEN 2SB1560 单晶体管双极, 达林顿, PNP, 150 V, 50 MHz, 100 W, 10 A, 5000 hFE

4964

5-49

￥26.2080

50-199

￥25.0880

200-499

￥24.4608

500-999

￥24.3040

1000-2499

￥24.1472

2500-4999

￥23.9680

5000-7499

￥23.8560

≥7500

￥23.7440

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型号: FQA160N08

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

9967

5-49

￥25.8102

50-199

￥24.7072

200-499

￥24.0895

500-999

￥23.9351

1000-2499

￥23.7807

2500-4999

￥23.6042

5000-7499

￥23.4939

≥7500

￥23.3836

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型号: FDA59N30

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDA59N30 晶体管, MOSFET, N沟道, 59 A, 300 V, 0.047 ohm, 10 V, 5 V

2962

5-49

￥25.1433

50-199

￥24.0688

200-499

￥23.4671

500-999

￥23.3167

1000-2499

￥23.1662

2500-4999

￥22.9943

5000-7499

￥22.8869

≥7500

￥22.7794

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型号: WPB4002-1E

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: TO-3P N-CH 600V 23A

1974

5-49

￥24.3945

50-199

￥23.3520

200-499

￥22.7682

500-999

￥22.6223

1000-2499

￥22.4763

2500-4999

￥22.3095

5000-7499

￥22.2053

≥7500

￥22.1010

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型号: FGA20N120FTDTU

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: FGA20N120FTD 系列 1200 V 40 A 场截止沟道 IGBT-TO-3PN

9570

5-49

￥23.4351

50-199

￥22.4336

200-499

￥21.8728

500-999

￥21.7326

1000-2499

￥21.5923

2500-4999

￥21.4321

5000-7499

￥21.3320

≥7500

￥21.2318

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型号: IXTQ460P2

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: N沟道

1395

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型号: IXTQ16N50P

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3Pin(3+Tab) TO-3P

4897

5-49

￥22.7682

50-199

￥21.7952

200-499

￥21.2503

500-999

￥21.1141

1000-2499

￥20.9779

2500-4999

￥20.8222

5000-7499

￥20.7249

≥7500

￥20.6276

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型号: FCA16N60N

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: SupreMOS® MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild 推出了新一代 600V 超级结 MOSFET - SupreMOS®。与 Fairchild 的 600V SuperFET™ MOSFET 相比，其低 RDS（接通）和总栅极电荷让品质因素 (FOM) 降低了 40%。此外，SupreMOS 系列为相同的 RDS（接通）提供低栅极电荷，提供极佳的切换性能，切换和传导损耗降低 20%，从而获得更高的效率。这些特征让电源符合用于台式 PC 的 ENERGY STAR® 80 PLUS 黄金分类和用于服务器的白金分类。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

5292

5-49

￥22.6980

50-199

￥21.7280

200-499

￥21.1848

500-999

￥21.0490

1000-2499

￥20.9132

2500-4999

￥20.7580

5000-7499

￥20.6610

≥7500

￥20.5640

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型号: 2SC4131

品牌: Sanken Electric (三垦电气)

封装: TO-3-3

品类: 双极性晶体管

描述: TO-3pF NPN 50V 15A

2764

5-49

￥22.2651

50-199

￥21.3136

200-499

￥20.7808

500-999

￥20.6476

1000-2499

￥20.5143

2500-4999

￥20.3621

5000-7499

￥20.2670

≥7500

￥20.1718

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型号: STGWT60H65DFB

品牌: ST Microelectronics (意法半导体)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，STMicroelectronics ### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

5149

5-49

￥21.7269

50-199

￥20.7984

200-499

￥20.2784

500-999

￥20.1485

1000-2499

￥20.0185

2500-4999

￥19.8699

5000-7499

￥19.7771

≥7500

￥19.6842

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型号: IXTQ102N15T

品牌: IXYS Semiconductor

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: TO-3P N-CH 150V 102A

6738

5-49

￥21.1068

50-199

￥20.2048

200-499

￥19.6997

500-999

￥19.5734

1000-2499

￥19.4471

2500-4999

￥19.3028

5000-7499

￥19.2126

≥7500

￥19.1224

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型号: FGA25N120FTD

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: Trans IGBT Chip N-CH 1.2kV 50A 3Pin(3+Tab) TO-3PN Rail

6614

5-49

￥19.9485

50-199

￥19.0960

200-499

￥18.6186

500-999

￥18.4993

1000-2499

￥18.3799

2500-4999

￥18.2435

5000-7499

￥18.1583

≥7500

￥18.0730

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型号: FQA27N25

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 27A, TO-3PN-3

3950

5-49

￥19.5507

50-199

￥18.7152

200-499

￥18.2473

500-999

￥18.1304

1000-2499

￥18.0134

2500-4999

￥17.8797

5000-7499

￥17.7962

≥7500

￥17.7126

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型号: FDA032N08

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: FDA032N08: N 沟道 PowerTrench MOSFET 75V，235A，3.2mΩ

8792

5-49

￥19.4103

50-199

￥18.5808

200-499

￥18.1163

500-999

￥18.0002

1000-2499

￥17.8840

2500-4999

￥17.7513

5000-7499

￥17.6684

≥7500

￥17.5854

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型号: FQA32N20C

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: QFET® N 通道 MOSFET，超过 31A，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (<250V) 类型。先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

4290

5-49

￥19.2933

50-199

￥18.4688

200-499

￥18.0071

500-999

￥17.8917

1000-2499

￥17.7762

2500-4999

￥17.6443

5000-7499

￥17.5619

≥7500

￥17.4794

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型号: FGAF40N60SMD

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，Fairchild Semiconductor ### IGBT 分立件和模块，Fairchild Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

2276

5-49

￥18.9306

50-199

￥18.1216

200-499

￥17.6686

500-999

￥17.5553

1000-2499

￥17.4420

2500-4999

￥17.3126

5000-7499

￥17.2317

≥7500

￥17.1508

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型号: FGA25N120ANTDTU

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: ON Semiconductor FGA25N120ANTDTU N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装

7311

5-49

￥18.3222

50-199

￥17.5392

200-499

￥17.1007

500-999

￥16.9911

1000-2499

￥16.8815

2500-4999

￥16.7562

5000-7499

￥16.6779

≥7500

￥16.5996

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型号: FQA13N50C

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: 500V N沟道MOSFET 500V N-Channel MOSFET

9810

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型号: 2SK2613(F)

品牌: Toshiba (东芝)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: TO-3PN N-CH 1000V 8A

7339

5-49

￥17.6670

50-199

￥16.9120

200-499

￥16.4892

500-999

￥16.3835

1000-2499

￥16.2778

2500-4999

￥16.1570

5000-7499

￥16.0815

≥7500

￥16.0060

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型号: NGTG20N60L2TF1G

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: IGBT 分立，On Semiconductor ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。

6486

5-49

￥17.6553

50-199

￥16.9008

200-499

￥16.4783

500-999

￥16.3727

1000-2499

￥16.2670

2500-4999

￥16.1463

5000-7499

￥16.0709

≥7500

￥15.9954

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型号: FQA40N25

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: FQA40N25 系列 250 V 40 A 70 mOhm N-沟道 QFET® MOSFET - TO-3PN

8014

5-49

￥17.6436

50-199

￥16.8896

200-499

￥16.4674

500-999

￥16.3618

1000-2499

￥16.2562

2500-4999

￥16.1356

5000-7499

￥16.0602

≥7500

￥15.9848

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型号: FQA36P15

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA36P15 晶体管, MOSFET, P沟道, -36 A, -150 V, 90 mohm, -10 V, -4 V

7225

5-49

￥17.6319

50-199

￥16.8784

200-499

￥16.4564

500-999

￥16.3510

1000-2499

￥16.2455

2500-4999

￥16.1249

5000-7499

￥16.0496

≥7500

￥15.9742

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型号: FQA70N10

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA70N10, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装

4213

5-49

￥16.5672

50-199

￥15.8592

200-499

￥15.4627

500-999

￥15.3636

1000-2499

￥15.2645

2500-4999

￥15.1512

5000-7499

￥15.0804

≥7500

￥15.0096

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型号: FDA24N50F

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: N沟道MOSFET 500V ， 24A ， 0.2Ω N-Channel MOSFET 500V, 24A, 0.2Ω

6772

5-49

￥16.2981

50-199

￥15.6016

200-499

￥15.2116

500-999

￥15.1141

1000-2499

￥15.0165

2500-4999

￥14.9051

5000-7499

￥14.8355

≥7500

￥14.7658

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型号: FGA20S140P

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: IGBT晶体管

描述: ON Semiconductor FGA20S140P N沟道 IGBT, 40 A, Vce=1400 V, 3引脚 TO-3PN封装

4253

5-49

￥15.8418

50-199

￥15.1648

200-499

￥14.7857

500-999

￥14.6909

1000-2499

￥14.5961

2500-4999

￥14.4878

5000-7499

￥14.4201

≥7500

￥14.3524

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型号: FQA70N15

品牌: ON Semiconductor (安森美)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: ON Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA70N15, 70 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-3PN封装

8077

5-49

￥15.7950

50-199

￥15.1200

200-499

￥14.7420

500-999

￥14.6475

1000-2499

￥14.5530

2500-4999

￥14.4450

5000-7499

￥14.3775

≥7500

￥14.3100

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型号: FDA24N40F

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: UniFET™ N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor UniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻，还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。此外，内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正 (PFC)、平板显示屏 (FPD) 电视电源、ATX（先进技术扩展）和电子灯镇流器。

9943

5-49

￥15.3855

50-199

￥14.7280

200-499

￥14.3598

500-999

￥14.2678

1000-2499

￥14.1757

2500-4999

￥14.0705

5000-7499

￥14.0048

≥7500

￥13.9390

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型号: FQA46N15

品牌: Fairchild (飞兆/仙童)

封装: TO-3-3

品类: MOS管

描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQA46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V

2706

5-49

￥15.0813

50-199

￥14.4368

200-499

￥14.0759

500-999

￥13.9857

1000-2499

￥13.8954

2500-4999

￥13.7923

5000-7499

￥13.7279

≥7500

￥13.6634

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